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    INN030FQ015A

    發(fā)布時間:2025-03-10 13:21:55   點擊量:

    • 英諾賽科8英寸氮化鎵晶圓代理樣品
    品牌:英諾賽科Innoscience
    型號: INN030FQ015A
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    INN030FQ015A 是英諾賽科 (Innoscience) 推出的一款 30V GaN (氮化鎵) 增強型功率晶體管。它同樣采用英諾賽科先進的 8 英寸硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 技術(shù)制造,針對低壓應用進行了優(yōu)化,具有卓越的性能和可靠性,非常適合各種低壓電源和負載開關(guān)應用。


    關(guān)鍵特性和優(yōu)勢

    30V 耐壓: 適用于低壓電源應用,例如 DC-DC 電源、負載開關(guān)、無線充電等。
    增強型 (e-mode) GaN 器件: 增強型 GaN 晶體管具有常關(guān)特性 (normally-off),簡化驅(qū)動電路設計,提高系統(tǒng)可靠性。
    極低的導通電阻 (RDS(on)): 1.5 mΩ (典型值)。 這是該器件的關(guān)鍵優(yōu)勢之一。 極低的導通電阻能夠顯著降低傳導損耗,提高電源效率,并且降低器件的發(fā)熱。
    低柵極電荷 (Qg): 降低開關(guān)損耗。
    高開關(guān)速度 (High Switching Speed): GaN 材料的固有特性使其具有比傳統(tǒng)硅器件更高的開關(guān)速度。 這使得電源能夠以更高的頻率運行,從而減小了元件尺寸和重量,并提高了功率密度。
    無反向恢復電荷 (Qrr = 0): GaN 器件沒有反向恢復電荷,消除了由反向恢復引起的損耗和噪聲,進一步提高了電源效率和可靠性。
    符合 RoHS 標準: 符合歐盟 RoHS 指令,不含有害物質(zhì),環(huán)保安全。
    封裝: WLCSP (Wafer Level Chip Scale Package)。 這是一種非常小巧的封裝,能夠?qū)崿F(xiàn)極高的功率密度。

    主要應用:

    高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器

    蓄電池充電器

    電池管理系統(tǒng)

    筆記本

    工業(yè)


    INN030FQ015A_Datasheet_Rev1.0_20231227.pdf


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