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    INN650D190A

    發布時間:2025-04-28 14:23:04   點擊量:

    • INN650D190A
    品牌:英諾賽科Innoscience
    型號: INN650D190A
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    INN650D190A 是一款先進的650V額定電壓硅基氮化鎵(GaN-on-Si)增強型功率晶體管,采用業界標準的緊湊型DFN 8mm x 8mm 表面貼裝封裝。作為一款增強型器件,它具有常閉型(normally-off)特性,簡化了驅動設計并提升了系統安全性。

    INN650D190A .jpg

    這款GaN晶體管的核心優勢在于其卓越的開關性能。它能夠支持極高的開關頻率,遠超傳統硅基MOSFET,這使得設計師可以采用更小的電感和電容,從而顯著提升功率密度并縮小產品體積。得益于GaN技術的物理特性,該器件具有零反向恢復電荷(Qrr=0),大幅降低了開關損耗,尤其在硬開關應用中效率優勢明顯。此外,其低柵極電荷(Qg)和低輸出電荷(Qoss)特性進一步減少了驅動損耗和開關時間,有助于實現更高的轉換效率。


    INN650D190A 經過嚴格的JEDEC標準工業應用資格認證,并內置ESD保護,確保了在各種應用環境下的可靠性。同時,該產品完全符合RoHS、無鉛(Pb-free)及REACH等環保法規要求。


    憑借這些優異特性,INN650D190A 廣泛適用于需要高效率、高功率密度的電源轉換場景,包括DCM/BCM模式的功率因數校正(PFC)、AHB/LLC/QR反激/ACF等拓撲的DC-DC轉換器、高效LED驅動、快速充電器、筆記本電腦及一體機(AIO)適配器,以及臺式電腦ATX電源、電視電源和電動工具電源等。

    INN650D190A_Datasheet_V1.0.pdf

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