半極性氮化鎵（Semipolar GaN）是第三代半導體材料氮化鎵的一種特殊晶體取向形態。傳統的氮化鎵器件大多在極性面上生長，這會導致材料內部產生強大的極化電場，從而引發“量子限制斯塔克效應”（QCSE）。該效應會使得電子和空穴在空間上分離，顯著降低發光器件的復合效率，尤其是在制造綠光及更長波長的LED時，效率會嚴重下降。

為了克服這一難題，半極性氮化鎵應運而生。通過在特定的傾斜角度上生長氮化鎵晶體，可以有效削弱甚至消除內部的極化電場。 這種獨特的晶體結構能夠顯著抑制量子限制斯塔克效應，從而大幅提升電子與空穴的復合效率，進而提高光電器件的內部量子效率。

正是由于這一核心優勢，半極性氮化鎵在高效率的光電器件領域展現出巨大的應用潛力。它被廣泛認為是制造高性能綠色、黃色LED以及激光二極管（LDs）的關鍵材料。 雖然其生長技術相較于傳統極性氮化鎵更為復雜且成本更高，但隨著技術的不斷進步，半極性氮化鎵正憑借其卓越的性能，在固態照明、高清顯示及激光技術等前沿應用中扮演著越來越重要的角色。