INV120EQ035A是英諾賽科推出的一款120V增強型雙向導通氮化鎵（GaN）功率晶體管。 該產品采用了先進的VGaN技術和硅基氮化鎵E型HEMT技術制造，封裝形式為緊湊的4mm x 6mm En-FCQFN。 INV120EQ035A的主要特點包括雙向阻斷能力和超低的導通電阻，這使其在需要高效能和靈活開關的應用中表現出色。

這款晶體管適用于多種應用場景，例如在電池管理系統(tǒng)（BMS）中用于電池保護，在雙向轉換器中作為高壓側負載開關，以及在多電源系統(tǒng)中實現開關電路功能。 其雙向導通特性使得在一個元件中即可實現傳統(tǒng)方案中需要兩顆背靠背連接的硅MOSFET才能實現的功能，從而有效減小方案尺寸并降低成本。 英諾賽科提供該產品的可靠性測試報告，并具備完善的質量體系和故障分析能力，確保產品的高可靠性和穩(wěn)定性。 其120V的最大漏源電壓和低至3.5mΩ的導通電阻，使其成為高效率電源應用的理想選擇。