INN100FQ016A 是一款高性能的100V增強型氮化鎵（GaN）功率晶體管。該器件采用了行業領先的8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Silicon）外延技術制造，屬于高電子遷移率晶體管（HEMT），旨在提供超越傳統硅基器件的卓越性能。其增強型模式（Enhancement Mode）設計確保了器件在無柵極驅動時處于關斷狀態，提高了應用的安全性。封裝形式為緊湊的 FCQFN 4mm x 6mm，極大地節省了電路板空間。

1. 核心特性

得益于先進的GaN技術，INN100FQ016A 展現出多項關鍵優勢：

• 極低柵極電荷 (Q_g): 實現更快的開關速度，顯著降低開關損耗，提升系統效率，尤其適合高頻工作。
• 超低導通電阻 (R_DS(on)): 最大限度減少導通狀態下的功率損耗和熱量產生，進一步提高能效。
• 極小體積: 結合高效的GaN芯片與先進的FCQFN封裝，實現了極高的功率密度。

1.1主要應用市場

基于上述特性，INN100FQ016A 是眾多現代電源管理解決方案的理想選擇，特別適用于：

• 高頻DC-DC轉換器: 實現更高效率和更小尺寸。
• 負載點 (PoL) 電源: 為處理器、FPGA等提供緊湊高效的供電。
• 射頻包絡跟蹤 (RF Envelope Tracking): 利用其高速開關特性提升功放效率。
• 電腦充電器和適配器: 打造更小、更輕、更高效的充電設備。
• 移動電源 (Power Banks): 延長電池續航并縮小產品體積。
• 電機驅動: 實現更精確、更節能的電機控制。

INN100FQ016A_Datasheet_Rev 1.3.pdf